Рефераты, курсовые, контрольные для студента!

 

Астрономия

Литература, Лингвистика

Страховое право

Уголовный процесс

Международные экономические и валютно-кредитные отношения

Экскурсии и туризм

Менеджмент (Теория управления и организации)

Компьютеры и периферийные устройства

Философия

Микроэкономика, экономика предприятия, предпринимательство

История отечественного государства и права

Бухгалтерский учет

Искусство

Маркетинг, товароведение, реклама

Радиоэлектроника

Экономическая теория, политэкономия, макроэкономика

История государства и права зарубежных стран

Психология, Общение, Человек

Банковское дело и кредитование

Историческая личность

Теория государства и права

Физкультура и Спорт

Государственное регулирование, Таможня, Налоги

Социология

Программное обеспечение

Биология

Культурология

Педагогика

Геодезия

Программирование, Базы данных

Международное право

Промышленность и Производство

Биржевое дело

Хозяйственное право

Медицина

Гражданское право

Право

Сельское хозяйство

Химия

Транспорт

Уголовное и уголовно-исполнительное право

Охрана природы, Экология, Природопользование

Физика

Музыка

География, Экономическая география

Математика

История

Муниципальное право России

Экономико-математическое моделирование

Ценные бумаги

Технология

Семейное право

Административное право

Искусство, Культура, Литература

Пищевые продукты

Компьютерные сети

Геология

Трудовое право

Иностранные языки

Здоровье

Юридическая психология

Москвоведение

Экономика и Финансы

Римское право

Гражданская оборона

Техника

Криминалистика и криминология

Конституционное (государственное) право зарубежных стран

Охрана правопорядка

Ветеринария

Военное дело

Налоговое право

Политология, Политистория

Экологическое право

История экономических учений

Религия

Компьютеры, Программирование

Прокурорский надзор

Космонавтика

Уголовное право

Физкультура и Спорт, Здоровье

Авиация

Металлургия

Архитектура

Правоохранительные органы

Конституционное (государственное) право России


Усилитель мощности

Усилитель мощности

Усилитель колебаний низкой частоты – составная часть каждого современного радиоприемника, телевизора или магнитофона.

Усилитель является основой радиовещания по проводам, аппаратуры телеуправления, многих измерительных приборов, электронной автоматики и вычислительной техники, кибернетических устройств. 3. Блок-схема Выходной каскад предназначен для обеспечения заданной мощности на заданном сопротивлении нагрузки.

Повторитель 3 увеличивает входное сопротивление выходного каскада.

Аттенюатор служит для плавной и ступенчатой регулировки уровня ослабления выходного напряжения.

Повторитель 2 увеличивает входное сопротивление аттенюатора.

Усилители 1, 2 увеличивают входное напряжение до величины, необходимой для выходного каскада.

Повторитель 1 увеличивает входное сопротивление усилителя 2, для того, чтобы обеспечить величину входного напряжения и сопротивления усилителя 1 указанного в техническом задании. 4. Расчет каскадов усилителя мощности 4.1. Выходной каскад 1. Определим амплитудные значения тока и напряжения: 2. Определим P доп : 3. Определим U кэ1 2 , U кэ1 3 : 4. Определим E к : Приняв U з = 0,7В получили E к = 43,118В, округлим это значение до стандарта, т.е. примем E к = 45В 5. Выберем тип транзисторов VT 12, VT 13 ( n - p - n ) соответствующий найденным параметрам:

Модель P, Вт U(кэ), В I(k), A f(гр), Mhz C(к) I(ко), А U(бэ), В
VT 12 КТ817Б 25 45 3 15 3 60 0,00005 0,7
VT 13 КТ817Б 25 45 3 15 3 60 0,00005 0,7
6. Определим ток покоя VT 12, VT 13: Примем I п 12 , 13 = 390 мА 7. Определим величину резисторов защиты: , выбираем по Е24, R 38,40 = 1,8 Ом 8. Определим ток покоя VT 10, VT 11: E 24, R 37,39 = 18 Ом 9. Определим U кэ 10 , 11 : 10. Определим мощность, рассеиваемую на VT 10, VT 11: 11. Выберем тип транзисторов VT 10( n - p - n ), VT 11( p - n - p ) соответствующий найденным параметрам:
Модель P, Вт U(кэ), В I(k), A f(гр), Mhz C(к) U(бэ), В
VT1 0 КТ 815 Б 10 50 1,5 20 3 60 0,7
VT 11 КТ814Б 10 50 1 ,5 20 3 60 0,3
12. Определим величину напряжения смещения U 0 по равенству: 13. Определим ток покоя транзистора VT 9: , примем I п9 = 0,015А, тогда 14. Определим R 35 + R 36 : 15. Определим мощность, рассеиваемую на VT 9: 16. Выберем тип транзисторов VT 9( n - p - n ) соответствующий найденным параметрам:
Модель P, Вт U(кэ), В I(k), A f(гр), Mhz C(к) U(бэ), В
VT 9 КТ961Б 1 60 1,5 100 50 20 0,7
17. Выберем R 35 >> R н , то есть R 35 = 200 Ом Тогда R 36 = 1449,4 – 200 = 1249 Ом = 1,249 кОм Примем R 36 = 1,2кОм. 18. Определим величину емкости C 15 из условия: Примем C 15 = 47 мкФ 19. Определим емкость в цепи компенсации: Примем C 18 = 2 2 0мкФ 20. Определим коэффициент передачи повторителя на транзисторах VT 10 – VT 13: 21. Проверим правильность выбранного значения U кэ9 : 22. Определим входное сопротивление выходного каскада в целом: 23. Величина R ~ для предварительного каскада равна: 24. Найдем входное сопротивление транзистора VT 9: 25. Определим коэффициент усиления предварительного каскада: 26. Определим коэффициент усиления всего выходного каскада: 27. Выбираем ток базового делителя VT 9: 2 8 . Определим резистор делителя: Примем R 30 = 910 Ом Выберем R 34 из условия R 34 > R н . Одновременно для уменьшения необходимой емкости конденсатора фильтра C 16 желательно выбирать как можно больше.

Поэтому принимаем R 31 = 1300 Ом = 1,3 кОм, R 34 = 12000 Ом = 12 кОм 2 9 . Определим емкость конденсатора фильтра: Примем C 16 = 3300мкФ 30. Определим неизвестные сопротивления: 31. Определим падения напряжений на резисторах: 32. Рассчитаем мощности резисторов: Вт 33. Рассчитаем напряжения на конденсаторах: Расчет ООС: 34. Рассчитаем глубину ООС: 35. Рассчитаем входное сопротивление выходного каскада: Примем R 28 R вх = 200 Ом 36. Рассчитаем эквивалентное сопротивление: Примем R 29 = 1600 Ом 37. Определим коэффициент усиления выходного каскада с ООС: 4.2. Повторитель 3 Нагрузкой для данного повторителя будет являться входное сопротивление выходного каскада, т.е. сопротивление R 28 цепи обратной связи, а за амплитуду выходного напряжения примем входное напряжение выходного каскада, т.е.: R н = 200 Ом 1. Вычислим значение тока протекающего через нагрузку: 2. Определим параметры транзистора VT8: 3. Выберем тип транзистора VT 8 ( n - p - n ) соответствующий найденным параметрам:

Модель P, Вт U(кэ), В I(k), A f(гр), Mhz C(к)
VT 8 КТ315Б 0,15 20 0,1 50 250 7
4. Определим значение тока базы VT 8: 5. Определим падение напряжения на R 24 : 6. Определим параметры транзистора VT7: 7. Выберем тип транзистора VT 7 ( n - p - n ) соответствующий найденным параметрам:
Модель P, Вт U(кэ), В I(k), A f(гр), Mhz C(к)
VT 7 КТ315Б 0,15 20 0,1 50 250 7
8. Определим значение тока базы VT 7: 9. Определим значение тока делителя: Выберем ток базового делителя из условия, что I д >> I б . Примем: 10. Найдем значение резистора R 24 : 11. Найдем значение резистора R 23 : R 23 = (5-10) кОм.

Примем R 23 = 10000 Ом, тогда 12. Определим падения напряжений на резисторах базового делителя: 13. Определим значения резисторов базового делителя: 14. Определяем величину R э ~ : 15. Определим входное сопротивление транзистора VT 7: 16. Определим коэффициент передачи повторителя : 17. Определим входное напряжение повторителя : 18. Вычислим значение входного сопротивления повторителя: 19. Определим величину емкости конденсатора С 12 , исходя из условия: Примем C 16 = 100 мкФ 20. Определим напряжение на конденсаторах: 21. Определим мощности резисторов: 4.3. Аттенюатор Аттенюатор должен обеспечивать дискретное переключение диапазонов и плавное изменение сигнала внутри них: (-17.63 ... -1.763) дБ (-1.763 ... -0.1763) дБ (-0.1763 ... 0) дБ Для нормальной работы аттенюатора необходимо выполнение следующего условия: 1. Для обеспечения максимального ослабления (-17.63 ... -1.763) дБ: Округлим найденное значение сопротивления по раду Е24: R 43 =7,5кОм Тогда максимальное ослабление в этом диапазоне будет: 2. Для диапазона (-1.763 ... -0.1763) дБ Округлим найденное значение сопротивления по раду Е24: R 42 =240 Ом Тогда максимальное ослабление в этом диапазоне будет: 3. Для диапазона (-0.1763 ... 0) дБ Округлим найденное значение сопротивления по раду Е24: R 41 =22 Ом Тогда максимальное ослабление в этом диапазоне будет: 4. Рассчитаем напряжения на резисторах аттенюатора: Для U R 25 возьмём наибольшее значение, т.е. когда ослабление наименьшее: Рассчитаем мощности данных резисторов: 4.4. Повторитель 2 Нагрузкой для данного повторителя будет являться эквивалентное сопротивление, т.е. параллельное соединение сопротивления R 44 аттенюатора и R вх предыдущего повторителя, а за амплитуду выходного напряжения примем входное напряжение того же повторителя, т.е.: 1. Вычислим значение тока протекающего через нагрузку: 2. Определим параметры транзистора VT6: 3. Выберем тип транзистора VT 6 ( n - p - n ) соответствующий найденным параметрам:

Модель P, Вт U(кэ), В I(k), A f(гр), Mhz C(к)
VT 6 КТ315Б 0,15 20 0,1 50 250 7
4. Определим значение тока базы VT 6: 5. Определим падение напряжения на R 20 : 6. Определим параметры транзистора VT5: 7. Выберем тип транзистора VT 5 ( n - p - n ) соответствующий найденным параметрам:
Модель P, Вт U(кэ), В I(k), A f(гр), Mhz C(к)
VT 5 КТ315Б 0,15 20 0,1 50 250 7
8. Определим значение тока базы VT 5: 9. Определим значение тока делителя: Выберем ток базового делителя из условия, что I д >> I б . Примем: 10. Найдем значение резистора R 20 : 11. Найдем значение резистора R 19 : R 19 = (5-10) кОм.

Примем R 19 = 10000 Ом, тогда 12. Определим падения напряжений на резисторах базового делителя: 13. Определим значения резисторов базового делителя: 14. Определяем величину R э ~ : 15. Определим входное сопротивление транзистора VT 5: 16. Определим коэффициент передачи повторителя : 17. Определим входное напряжение повторителя : 18. Вычислим значение входного сопротивления повторителя: 19. Определим величину емкости конденсатора С 9 , исходя из условия: Примем C 9 = 100 мкФ 20. Определим напряжение на конденсаторах: 21. Определим мощности резисторов: 4.5. Усилитель 2 Нагрузкой для данного усилителя будет являться входное сопротивление предыдущего каскада R вхП2 , а амплитудой выходного сигнала будет амплитуда входного сигнала повторителя, т.е.: U н =2.1 2 В R н =189673 Ом Расчет каскада по постоянному току: 1. Определим ток в нагрузке: 2. Ориентировочно зададим значения I к min и U кэ min , используя соотношения: 3. Определяем I к max : 4. Зададимся значением э и вычислим : 5. Определим Е к и R 15 , U C 7 : 6. Определим I кнач и U кнач : 7. Определим допустимую мощность рассеивания на транзисторе: 8. Выберем тип транзистора VT 4 ( n - p - n ) соответствующий найденным параметрам:

Модель P, Вт U(кэ), В I(k), A f(гр), Mhz C(к)
VT 4 КТ340Б 0,15 20 0,05 100 300 3,7
9. Найдём ток I д : 10. Рассчитаем значения резисторов делителя R 13 и R 14 : 11. Рассчитаем значение конденсатора в цепи эмиттера С 7 : Расчет каскада по переменному току: При расчете каскада по переменному току определяются следующие параметры: 12. Определим коэффициент усиления в области средних частот: Тогда 13. Входное сопротивление каскада: 14. Выходное сопротивление каскада: 15. Определим напряжения на резисторах R 15 , R 16 : Для обеспечения уровня нелинейных искажений, определяемых техническим заданием, вводим отрицательную обратную связь по напряжению глубиной F =5. 16. Входное сопротивление усилителя с ОС равно значению резистора R 11 : 17. Определим сопротивление цепи ОС R 12 : 18. Коэффициент усиления усилителя с ОС: 19. Определим входные параметры каскада: 20. Найдём напряжение на базовых делителях: 21. Определим мощности резисторов: 22. Определим напряжение на конденсаторах: 4. 6 . Повторитель 1 Нагрузкой для данного повторителя будет являться входное сопротивление последующего усилителя, а за амплитуду выходного напряжения примем входное напряжение того же каскада, т.е.: 1. Вычислим значение тока протекающего через нагрузку: 2. Определим параметры транзистора VT 3 : 3. Выберем тип транзистора VT 3 ( n - p - n ) соответствующий найденным параметрам:
Модель P, Вт U(кэ), В I(k), A f(гр), Mhz C(к)
VT3 КТ315Б 0,15 20 0,1 50 250 7
4. Определим значение тока базы VT 3: 5. Определим падение напряжения на R 10 : 6. Определим параметры транзистора VT 2 : 7. Выберем тип транзистора VT 2 ( n - p - n ) соответствующий найденным параметрам:
Модель P, Вт U(кэ), В I(k), A f(гр), Mhz C(к)
VT2 КТ315Б 0,15 20 0,1 50 250 7
8. Определим значение тока базы VT 2: 9. Определим значение тока делителя: Выберем ток базового делителя из условия, что I д >> I б . Примем: 10. Найдем значение резистора R 10 : 11. Найдем значение резистора R 9 : R 9 = (5-10) кОм.

Примем R 9 = 10000 Ом, тогда 12. Определим падения напряжений на резисторах базового делителя: 13. Определим значения резисторов базового делителя: 14. Определяем величину R э ~ : 15. Определим входное сопротивление транзистора VT 2: 16. Определим коэффициент передачи повторителя : 17. Определим входное напряжение повторителя : 18. Вычислим значение входного сопротивления повторителя: 19. Определим величину емкости конденсатора С 4 , исходя из условия: Примем C 4 = 15 0 мкФ 20. Определим напряжение на конденсаторах: 21. Определим мощности резисторов: 4. 7 . Усилитель 1 Нагрузкой для данного усилителя будет являться входное сопротивление следующего повторителя, а амплитудой выходного сигнала будет амплитуда входного сигнала повторителя, т.е.: U н =0, 123 В R н =1 88753 Ом Расчет каскада по постоянному току: 1. Определим ток в нагрузке: 2. Ориентировочно зададим значения I к min и U кэ min , используя соотношения: 3. Определяем I к max : 4. Зададимся значением э и вычислим : 5. Определим Е к и R 5 , U C 2 : 6. Определим I кнач и U кнач : 7. Определим допустимую мощность рассеивания на транзисторе: 8. Выберем тип транзистора VT 1 ( n - p - n ) соответствующий найденным параметрам:

Модель P, Вт U(кэ), В I(k), A f(гр), Mhz C(к)
VT1 КТ301Б 0,15 30 0,01 10 20 10
9. Найдём ток I д : 10. Рассчитаем значения резисторов делителя R 3 и R 4 : 11. Рассчитаем значение конденсатора в цепи эмиттера С 2 : Расчет каскада по переменному току: При расчете каскада по переменному току определяются следующие параметры: 12. Определим коэффициент усиления в области средних частот: Тогда 13. Входное сопротивление каскада: 14. Выходное сопротивление каскада: 15. Определим напряжения на резисторах R 5 , R 6 : Для обеспечения уровня нелинейных искажений, определяемых техническим заданием, вводим отрицательную обратную связь по напряжению глубиной F =6. 16. Входное сопротивление усилителя с ОС равно значению резистора R 1 : 17. Определим сопротивление цепи ОС R 2 : 18. Коэффициент усиления усилителя с ОС: 19. Определим входные параметры каскада: 20. Найдём напряжение на базовых делителях: 21. Определим мощности резисторов: 22. Определим напряжение на конденсаторах: 4. 8 . Расчёт разделительных конденсаторов Расчет конденсаторов будем производить на низких частотах.

Распределим равномерно частотные искажения по всем конденсаторам, т.е.: Расчет ёмкостей производится по следующей формуле: Определим ёмкости разделительных конденсаторов: 5. АЧХ и ФЧХ усилителя на транзисторе VT 4 Коэффициент усиления усилителя: Фазовый сдвиг усилителя: АЧХ и ФЧХ данного усилительного каскада имеют вид: 6. Расчет искажений на верхних частотах 1. Повторитель на транзисторах VT 10- VT 13: VT12, 13: VT10, 11: 2. Усилитель на транзисторе VT9 : 3. Усилитель на VT4 : 4. Усилитель на VT1 : Суммарное значение коэффициента частотных искажений: 7. Расчет стабилитронов Стабилитроны используются для понижения напряжения питания для отдельных каскадов.

Стабилитрон VD 1: Для подачи питания использован стабилитрон КС515Г со следующими параметрами:

Uст, В Iст min, mA I ст ном , mA Iст max, mA Pст max, Вт
15,0 3 10 31 0,25
Стабилитрон VD 2:
Uст, В Iст min, mA I ст ном , mA Iст max, mA Pст max, Вт
12,0 0,5 4 13 0,125
Для подачи питания использован стабилитрон КС212Ж со следующими параметрами: Стабилитрон VD 3:
Uст, В Iст min, мА I ст ном , mA Iст max, мА Pст max, Вт
9,1 3 10 20 0,25
Для подачи питания использован стабилитрон КС191С со следующими параметрами: 8. РАСЧЕТ РАДИАТОРОВ ОХЛАЖДЕНИЯ В выходном каскаде стоят транзисторы большой мощности, следовательно, необходимо поставить радиаторы для отвода теплоты.

Площадь радиатора рассчитывается по следующей формуле: S =1000 / ( R Tn - c s T ) см 2 где s T - коэффициент теплоизлучения от теплоотвода в окружающую среду, R Tn-c =(Tn-Tc)/Pк - тепловое сопротивление переход-среда. Tcтемпература окружающей среды (30 ° С), Тnтемпература p-n -перехода. Для дюралюминия s T =1.5 мВт/см 2 ° С. 1. Транзисторы VT 12, VT 13: КТ-817Б Необходимо рассеять мощность 8.5 Вт. Tn =150 ° С 2. Транзисторы VT 10: КТ-815, VT 11: КТ-814Б Необходимо рассеять мощность 2.1 Вт. Tn =125 ° С 9. Технология изготовления печатных плат Печатная плата представляет собой изоляционное основание с нанесёнными на него элементами печатного монтажа. К элементам печатного монтажа относятся: проводники, контактные площадки, зазоры, отверстия и т.д.

Печатная плата является несущим элементом. На ней размещаются навесные элементы (интегральные схемы и дискретные радиокомпоненты), разъёмы и другие детали. В качестве оснований печатных плат используют обычно листовые фольгированные материалы, которые представляют собой слоистый прессованный пластик (гетинакс или стеклотекстолит), облицованный с одной или двух сторон медной фольгой толщиной 0.035 или 0.05 мм. В радиоэлектронной аппаратуре и приборах в основном применяют фольгированный стеклотекстолит по ГОСТ 10316-62. Существуют два вида конструкции печатных плат – однослойные и многослойные. Как правило, однослойные печатные платы выполняются с двухсторонним монтажом – проводники располагаются с двух сторон.

Переходы с одной стороны платы на другую осуществляются через металлизированные отверстия в ней. В основе технологии изготовления двусторонних печатных плат (ДПП) лежит использование фольгированных диэлектриков. В настоящее время для изготовления ДПП применяется комбинированный метод, который включает в себя два способа: негативный и позитивный.

Технологический процесс получения ДПП комбинированным негативным способом состоит из следующих этапов: получение заготовок и подготовка поверхности фольги, нанесение на плату защитного покрытия (фоторезиста), получение изображения печатных проводников экспонированием и проявлением, удаление незащищенных участков фольги травлением, удаление фоторезиста с проводников, нанесение на основание защитного поврытия, обработка отверстий, подлежащих металлизации, химическая металлизация отверстий, электролитическая металлизация отверстий и печатных проводников, покрытие печатных проводников сплавом олово-свинец, механическая обработка контура платы.

Технологический процесс получения ДПП комбинированным позитивным способом состоит из следующих этапов: получение заготовок и подготовка поверхности фольги, нанесение на плату защитного покрытия (фоторезиста), получение изображения печатных проводников экспонированием и проявлением, нанесение защитной лаковой плёнки, сверление отверстий и их химическое меднение, удаление защитной лаковой плёнки, электролитическое меднение отверстий и проводников, нанесение кислостойких сплавов, удаление фоторезиста, химическое травление фольги с пробельных мест, осветление проводящих покрытий, механическая обработка контура печатной платы. В том случае, если ДПП не удовлетворяет требованиям, в частности не позволяет разместить большое число навесных элементов из-за малого объёма, применяют многослойные печатные платы (МПП). Известно несколько способов изготовления МПП, однако все они имеют недостатки: большую стоимость и длительность проектирования, значительные затраты времени на изготовление, на налаживание производства, трудности внесения изменений.

Исходным документом при конструировании печатных плат является принципиальная электрическая схема. Для одной принципиальной схемы можно построить несколько вариантов топологии печатной платы, т.е. печатного монтажа. 10 . СПЕЦИФИКАЦИЯ 10 .1. Резисторы

Позиционное обозначение Наименование Количество
R 1, R 2, R 3, R 4, R 5, R 6, R 7, R 8, R 9, R 10, R 11, R 12, R 13, R 14, R 15, R 16, R 17, R 18, R 19, R 20, R 21, R 22, R 23, R 24, R 28, R 29, R 30, R 31, R 32, R 33, R 34, R 35, R 41, R 42, R 43 МЛТ-0,125 3 5
R 26, R 39 МЛТ-0,25 2
R 25, R 36, R 37, R 38, R 40 МЛТ-0,5 5
R 27 МЛТ-1 1
R 44 СП3-13 1
10 .2. Конденсаторы
Позиционное обозначение Наименование Количество
C 3, C 8, C 11 К5 3 - 1 3
C16, C17 К5 0 - 12 2
C 1, C 2, C 4, C 5, C 6, C 7, C 9, C 10, C 12, C 13, C 14, C 15, C 18, C 19 К5 0 - 16 14
10 .3. Транзисторы
Позиционное обозначение Наименование Количество
VT1 КТ301Б 1
VT 2, VT 3, VT 5, VT 6, VT 7, VT 8 КТ315Б 6
VT 4 КТ340Б 1
VT 1 1 КТ814Б 1
VT10 КТ815Б 1
VT 12, VT 13 КТ817Б 2
VT9 КТ961Б 1
10 . 4 . Стабилитроны
Позиционное обозначение Наименование Количество
VD1 КС515Г 1
VD2 КС212Ж 1
VD3 КС191С 1
1 1 . КАРТА РЕЖИМОВ 1 1 .1. Резисторы
Позиционное обозначение Напряжение, В Ток, А Мощность, Вт Номинальное сопротивление, Ом Тип
R 1 0.0179 0.000066 0.000001187 270 МЛТ-0,125
R2 0.0869 0.000054 0.0000047 1600 МЛТ-0,125
R3 13.55 0.0024 0.033 5600 МЛТ-0,125
R4 1.38 0.00203 0.0028 680 МЛТ-0,125
R5 12.13 0.00404 0.049 3000 МЛТ-0,125
R6 0.8 0.00444 0.0036 180 МЛТ-0,125
R7 0.71 0.0000866 0.00006 8200 МЛТ-0,125
R 8 11.29 0.0000868 0. 000 98 1 3 0000 МЛТ-0,125
R 9 0.0084 0.00000008 0 .000000007 10000 МЛТ-0,125
R10 9.88 0.0021 0 . 0 21 4700 МЛТ-0,125
R11 0.0842 0.000077 0.00000645 1100 МЛТ-0,125
R12 1.499 0.000062 0.000097 24000 МЛТ-0,125
R13 10.285 0.0000935 0.00096 110000 МЛТ-0,125
R14 1.3 0.000072 0 . 000 094 18 000 МЛТ-0,125
R15 6.842 0.00311 0 . 0 213 2200 МЛТ-0,125
R16 0.626 0.00313 0 . 0 0196 200 МЛТ-0,125
R17 2.627 0.000164 0 . 00 043 16000 МЛТ-0,125
R18 6.473 0.000155 0 . 0004 43 000 МЛТ-0,125
R19 0.0155 0.0000015 0 . 00 0000024 10000 МЛТ-0,125
R20 5.057 0.00389 0 . 0 197 1300 МЛТ-0,125
R21 2.4255 0.000475 0 . 0 0115 51 00 МЛТ-0,125
R22 6.6745 0.000445 0 . 00 297 15000 МЛТ-0,125
R23 0.0445 0.00000445 0.000000198 10000 МЛТ-0,125
R24 5.23 0.01113 0 . 0 582 470 МЛТ-0,125
R25 30 0.01 0.3 3000 МЛТ- 0,5
R26 33 0.006 0.195 5600 МЛТ- 0,25
R27 35.9 0.01908 0.716 1800 МЛТ- 1
R28 1.32 0.0066 0.0087 200 МЛТ-0,125
R29 10.668 0.0067 0.07113 1600 МЛТ-0,125
R30 1 . 365 0 . 0015 0 . 00205 910 МЛТ-0,125
R31 2 . 145 0.00165 0 . 00354 1300 МЛТ-0,125
R32 2 . 4 0 . 015 0 . 03 6 160 МЛТ-0,125
R33 0 . 40452 0 . 02023 0 . 00818 20 МЛТ-0,125
R34 19 . 8 0 . 00165 0 . 03267 12000 МЛТ-0,125
R35 4 . 01516 0 . 02008 0 . 08061 200 МЛТ-0,125
R 36 24.091 0.02008 0 . 48364 1200 МЛТ-0,5
R 37 2.46683 0.13705 0 . 33807 18 МЛТ-0,5
R 38 0.73388 0.40771 0 . 29921 1,8 МЛТ-0,5
R39 1 . 91865 0 . 10659 0 . 20451 18 МЛТ-0, 2 5
R40 0 . 7766 0 . 43144 0 . 33506 1 ,8 МЛТ-0,5
R41 0.04 0.0018 0.000073 22 МЛТ-0,125
R42 0.366 0.001525 0 . 00 056 240 МЛТ-0,125
R4 3 1.782 0.0002376 0.00042 7500 МЛТ-0,125
R4 4 2.043 0.001857 0.0038 1100 СП3-1
1 1 .2. Конденсаторы
Позиционное обозначение Ёмкость, мкФ Расчетное напряжение, В Тип Номинальное напряжение, В
C1 220 1,49 К5 0 - 16 6.3
C2 150 0,18 К5 0 - 16 6.3
C3 0, 33 8,41 К5 3 - 1 10
C4 15 0 1,41 К5 0 - 16 6.3
C5 47 9,88 К5 0 - 16 10
C6 47 3,858 К5 0 - 16 6.3
C7 1 5 0 0,624 К5 0 - 16 6.3
C8 0, 33 1,3 К5 3 - 1 6.3
C9 100 1,416 К5 0 - 16 6.3
C10 47 5,057 К5 0 - 16 6.3
C11 0,68 6,63 К5 3 - 1 10
C12 100 1,44 К5 0 - 16 6.3
C13 33 0 5,23 К5 0 - 16 6.3
C14 33 0 1,365 К5 0 - 16 6.3
C15 47 2,4 К5 0 - 16 6.3
C16 3300 3,51 К5 0 - 12 6.3
C17 22 00 0,40452 К5 0 - 12 6.3
C18 2 2 0 40,98484 К50-16 50
C19 330 20,0824 К50- 1 6 25
1 1 .3. Транзисторы
Позиционное обозначение U кэ , В U бэ , В I к , А I б , А P , Вт Тип
VT1 2.15 0 . 7 0.004034 0.0004034 0.009 КТ3 0 1Б
VT2 1.42 0 . 7 0.0000422 0.0000008 0.00006 КТ315Б
VT3 2.12 0 . 7 0.002108 0.0000422 0.0045 КТ3 15 Б
VT4 4.54 0 . 7 0.031 0.0000312 0.014 КТ340Б
VT5 3.343 0 . 7 0.000076 0.0000016 0.00026 КТ315Б
VT6 4.043 0 . 7 0.00388 0.0000776 0.0157 КТ315Б
VT7 3.17 0 . 7 0.000227 0.0000045 0.00072 КТ315Б
VT8 3.87 0 . 7 0.1135 0.000227 0.0439 КТ315Б
VT9 20 . 559 0 . 7 0 . 015 0 . 00015 0.30838 КТ961Б
VT10 20 . 159 0 . 7 0 . 10152 0 . 005076 2.04646 КТ815Б
VT11 20 . 159 0 . 3 0 . 10152 0 . 005076 2.04646 КТ814Б
VT12 20 . 859 0.7 0 . 38068 0 . 025379 8.20386 КТ817Б
VT13 20 . 859 0 . 7 0 . 38068 0 . 025379 8.20386 КТ817Б
1 1 .4. Стабилитроны
Позиционное обозначение Расчетный ток, мА I ст min , мА I ст max , мА U ст, В P ст max , Вт Тип
VD1 10 3 31 15 0.25 КС515Г
VD2 6 0.5 13 12 0.125 КС212Ж
VD3 19.08 3 20 9.1 0.25 КС191С
1 2 . Список литературы 1. Бочаров Л.Н. и др. Расчёт электронных устройств на транзисторах/ Бочаров Л.Н., Жебряков С.К., Колесников И.Ф.–М.: Энергия,1978. 2. Верховцев О.Г., Лютов К.П. Практические советы мастеру-любителю: Электроника.

независимая экспертиза после залива квартиры в Калуге
оценка грузового авто в Туле
оценка товарного знака в Липецке

Подобные работы

16-разрядный генератор псевдослучайных чисел

echo "Курсовая работа включает в себя расчет себестоимости, надежности и быстродействия спроектированного продукта. 1. Основная часть 1.1 Схемотехническая часть 1.1.1 Таблица 1 DD1, DD2, DD3, DD4

Безопасность труда электромонтера по обслуживанию электрооборудования

echo "Электромонтерам по обслуживанию электрооборудования приходится часто выполнять различные слесарные и сборочные операции. Поэтому они должны четко знать правила техники безопасности при проведен

Самолётная радиолокационная станция ЦД-ЗОТ

echo "Станция обеспечивает: · автоматический обзор пространства в определённом секторе передней полусферы и обнаружение целей; · полуавтоматический захват цели и автоматическое сопровождение по дально

Устройство селективного управления работой семисегментного индикатора

echo "Требования увеличения быстродействия и уменьшения мощности потребления вычислительных средств привело к созданию серий цифровых микросхем. Серия представляет собой комплект микросхем, имеющие ед

Кодовый замок

echo "Данный курсовой проект представляет собой обзор широко распространенных радиолюбительских схем кодовых замков. Принципиальные схемы сопровождаются описанием их работы и рекомендациями по монтаж

Радиолокационная Головка Самонаведения

echo "Автоматическая часть станции состоит из трех следующих функциональных систем: 1. системы управления антенной, обеспечивающей управление антенной во всех режимах работы РЛГС (в режиме 'наведение'

Электронные вольтметры

echo "Измеряемое напряжение управляет током электронных приборов, благодаря чему входное сопротивление электронных вольтметров достигает весьма больших значений и они допускают значительные перегрузки

Система наведения ракеты ФКР-1

echo "Станция НБ измеряет отклонение ракеты от заданной плоскости и вырабатывает управляющее напряжение, которое через автомат воздействует на руль ракеты. Станция НБ используется также для определен

 
© 2011-2012, e